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Generation of Dicke States with Phonon-Mediated Multi-level Stimulated Raman Adiabatic Passage

机译:用声子介导的多能级刺激产生Dicke态   拉曼绝热通道

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摘要

We generate half-excited symmetric Dicke states of two and four ions. We usemulti-level stimulated Raman adiabatic passage (STIRAP) whose intermediatestates are phonon Fock states. This process corresponds to the spin squeezingoperation and half-excited Dicke states are generated during multi-levelSTIRAP. This method does not require local access for each ion or thepreparation of phonon Fock states. Furthermore, it is robust since it is anadiabatic process. We evaluate the Dicke state using a witness operator anddetermine the upper and lower bounds of the fidelity without using full quantumtomography.
机译:我们生成两个和四个离子的半激发对称迪克态。我们使用多级受激拉曼绝热通道(STIRAP),其中间状态为声子福克状态。该过程对应于自旋压缩操作,并且在多级STIRAP期间生成了半激发的迪克状态。该方法不需要每个离子的局部访问或声子Fock态的制备。此外,由于它是绝热过程,因此它是鲁棒的。我们使用见证运算符评估狄克状态,并确定保真度的上限和下限,而无需使用完整的量子层析技术。

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